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2020武汉科技大学815材料物理与化学考研真题

来源:武汉文都考研 更新时间:2020-11-26 11:21:07
  近几年研究生招生考试越来越呈现出院校退出统考,开始自主命题的趋势,可能的原因是院校自主命题比起统考更能招收符合该专业培养定位的学生。但院校自主命题增加了考生的复习难度,这时候自主命题院校的考研真题就显得尤其重要。另外考研真题的作用不仅仅检验了复习程度,还可以作为大家复习的方向指导。在考研复习阶段,要注意搜集真题和利用好真题。武汉文都考研小编为大家整理了2020武汉科技大学815材料物理与化学考研真题,一起看看吧。

  武汉科技大学2020年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题

  科目名称:材料物理与化学

  科目代码:815

  一、 填空题(共15空,每空2分,共30分)

  1、(10分)一般来说,对于晶体中剩余空隙比较小则容易形成 缺陷,其特征为 ,如NaCl型结构;当晶体中剩余空隙比较大时,则容易形成 缺陷,其特征为 ,如 结构。

  2、(4分)从熔融态向玻璃态的转化取决于 和 。

  3、(4分)具有多晶转变的单元系统相图中,可逆多晶转变现象存在的必要条件是 ,而不可逆多晶转变现象存在的必要条件是 。

  4、(2分)两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将互相 。

  5、(4分)固溶体是在固态条件下,一种物质以原子尺寸 在另一种基体中所形成的单相均匀的 。

  6、(6分)根据扩散通道的不同,烧结过程的固相传质机制包括 、 和 (按相同温度下扩散速率由高至低排序)。

  二、名词解释(共 6小题,每小题6分,共 36分)

  1、(6分)马氏体相变

  2、(6分)配位多面体

  3、(6分)硼反常现象

  4、(6分)SiO2系统中的二级变体间的转变

  5、(6分)吸附表面

  6、(6分)烧结后期

  三、简答题( 共3小题,共40 分)

  1、(10分)请简述材料的一级相变和二级相变反应的相同点及不同点,并分别举例。

  2、(15分)请简述晶体质点迁移扩散五种基本扩散形式,将其按扩散能垒的大小进行排序并说明原因。

  3、(15分)与晶体的主要特征相比,简述说明玻璃的四大通性。

  四、计算题( 共14分)

  请根据Mg2[SiO4]在(100)面的投影图(见图1)回答:

  1、(4分)结构中有几种配位多面体,各配位多面体间的连接方式怎样?

  ……

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