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2019武汉科技大学825电子技术考研真题

来源:武汉文都考研 更新时间:2020-07-29 14:19:11
  近几年研究生招生考试越来越呈现出院校退出统考,开始自主命题的趋势,可能的原因是院校自主命题比起统考更能招收符合该专业培养定位的学生。但院校自主命题增加了考生的复习难度,这时候自主命题院校的考研真题就显得尤其重要。另外考研真题的作用不仅仅检验了复习程度,还可以作为大家复习的方向指导。在考研复习阶段,要注意搜集真题和利用好真题。武汉文都考研小编为大家整理了2019武汉科技大学825电子技术考研真题,一起看看吧。

  武汉科技大学2019年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题

  科目名称:电子技术

  科目代码:825

825电子技术考研真题01

825电子技术考研真题02

  二、填空题(共12空,每空2分,共24分)

  1. 当PN结加正向电压时,其耗尽区的厚度会变(1)(填“厚”或“薄”),耗尽区中的电场强度会(2)(填“增大”或“减小”),因而电阻的阻值(3)(填“增大”或“减小”)。

  2. 在功率放大电路中,输入信号在整个周期内都有电流流过放大器件,这种工作方式通常称为(4)放大,其信号失真程度在各类功率放大电路中最(5)(填“大”或“小”),但功率转化效率最(6)(填“高”或“低”)。

  3. 模拟信号转化为数字信号的过程通常需要经过“采样”、“量化”和 (7) 三个步骤。

  4. 在传输门、漏极开路门、三态输出门中,能实现线与功能的是 (8) ,常用于总线传输结构中的是 (9) ,可用作双向模拟开关的是 (10) 。

  5. 组合逻辑电路的基本电路单元是 (11) ,时序逻辑电路的基本电路单元是 (12) 。

  ……

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